据行业媒体报道，自疫情爆发以来，绝缘闸极双极性晶体管（IGBT）供不应求，随着车用、太阳能光伏、工控等所需用量大增，而产能扩增缓慢，认证需时间，考量长期客户关系，以及订单规模下，加上Tesla释出大砍碳化硅（SiC）用量75%消息，让可能成为替代方案之一的IGBT，缺货问题至少在2024年中前难以解决。

为何工规、车规IGBT至今仍会缺货、涨价，且估计一路缺到2024年中后，晶圆代工业者表示，主要原因就是2大领域采用IGBT的使用量、比重显著飙升，IDM厂自身扩产缓慢，如英飞凌（Infineon）、安森美（Onsemi）至今仍无法应付快速增长的需求。其中，安森美早在2022年中就释出车用IGBT订单满手，暂无法再接单满2023年产能已全部售罄的消息，而英飞凌投资50亿欧元在德国德勒斯登新建的12吋新厂，则至2026年才会正式量产，进度相当缓慢。

IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品，具有高频、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，广泛应用于工业控制、轨道交通、白色家电、新能源发电、新能源汽车等领域。根据应用场景的电压不同，IGBT有超低压、低压、中压和高压等类型，其中新能源汽车、工业控制、家用电器等使用的IGBT以中压为主，而轨道交通、新能源发电和智能电网等对电压要求较高，主要使用高压IGBT。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。

从公司来看，国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、 ABB、三菱、西门康、东芝、富士等。中国功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。

一方面，我国是全球最大的IGBT需求市场，产业具有较大的发展前景，但我国IGBT自给率不足20%，本土替代仍有较大的提升空间；另一方面，本土IGBT产品性能已经逐渐成熟，且部分产品性能可对标海外IGBT大厂产品，加速国产化IGBT产品市场渗透，逐步切入高端市场。国内一众厂商如扬杰科技、斯达半导、士兰微、新洁能、紫光国微等也在加快扩产和研发步伐。

据富昌电子2023年2月17日发布的《2023 Q1芯片市场行情报告》数据显示，ST（意法半导体）、Microsemi（美高森美）、Infineon（英飞凌）、IXYS（艾赛斯）、Fairchild（仙童半导体）这5大品牌的IGBT Q1与2022年Q4的交期基本维持一致，交期依旧紧张，最长为54周。

根据SEMI的12吋晶圆厂展望报告，2022年至2026年，模拟和功率半导体的产能将以30%复合年增长率居首位，其次为增长率12%的晶圆代工、光电的6%和存储器的4%。功率半导体在消费电子疲软的情况下，有望成为较为稳定的一个增长点，持续地为特色工艺产线带来业务。

与此同时，以碳化硅为代表的第三代半导体在功率器件方面的应用，性能的优越表现始终备受瞩目。但与硅基器件相比还不成熟的制作工艺，相对较高的成本，始终让碳化硅的市场无法完全打开。第三代半导体所需要的工艺产线流程验证周期长，例如碳化硅长晶速度较慢且难以控制，切割等也面临质料较脆等问题，新材料进入产线需要生产设备与工艺的不断迭代，最终才有可能降低成本。

据与非网报道，安森美中国区汽车碳化硅现场应用工程师牛嘉浩总结，新技术的发展并不意味着原有技术的消亡，这是一个迭代的过程。虽然碳化硅崛起迅速，在一些应用中替代硅基器件是主流趋势，但是硅基功率器件目前仍然占据大部分的市场，并且有着自身的优势，短时间内并不会退出舞台。总之，从安森美及英飞凌对于IGBT和碳化硅的态度来看，硅基IGBT本身的存量市场还很大，而碳化硅器件也尚处于偏早期的发展阶段，不论是起步还是加速出货，两者的市场总量还有一定差距，且两者并非零和博弈，甚至有不少新的应用领域，需要两者共同发挥，在交叉互补中前行。

文章来源：微电子制造